디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash)

반도체 메모리 디바이스의 대표주자, 디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash). 각각 저장 방법에 따라 응용 분야는 다르지만 데이터를 되도록 많이 저장하고, 빠르게 처리해야 한다는 목표는 동일합니다. 하지만 이 두 가지 목표를 한꺼번에 만족시키는 최적의 디바이스란 없죠. 그럼에도 불구하고 Technology가 고도화될수록 용량과 속도, 두 Index는 개별적으로 꾸준히 개선되고 있습니다. 낸드플래시는 디램에 비해 플로팅 게이트(Floating Gate)의 기여로 집적도를 크게 올릴 수 있지만, 동시에 플로팅 게이트의 영향으로 동작 속도는 떨어집니다. 반면, 디램은 캐패시터가 MOS 트랜지스터(Tr)와 분리되어 있어 집적도는 떨어지지만 스위칭 속도는 매우 빠릅니다. 두 디바이스 모두 장점이 단점을 부르는 동시에 단점이 장점을 부르는 격이 되는 것이죠. 오늘은 디램과 낸드플래시는 어떠한 차이점을 갖는지, 두 디바이스를 서로 비교해보며 알아보는 시간을 갖도록 하겠습니다. https://news.skhynix.co.kr/post/dram-and-nand-flash